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整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外，整个炉内不存在排气不畅的地方，即不存在排气死角。有效地减小了炉内空间，便于迅速及时地将炉内的一氧化硅与氩气的混合气体排出，且利于减少热能和氩气的消耗量，使原有的引晶功率从65KW减到61KW，另外。还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明的直拉式单晶生长炉中，碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和部的排气口之间。氩气流量为30L/min。该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本。石墨具有强度高，抗热震性好，耐高温，抗氧化，电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。

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提出了各领域发展的标志性目标，提升整体创新能力与拓展市场应用等创新发展重大行动计划，主要政策措施，力图为产业发展指出更加清晰的发展方向。 单晶炉主要技术指标： 单晶炉加热电源是一种大功率直流电源，要求输出功率lOOkW，输出电压为0-5V可调，输出电流为0-3000A；其输出的能量可直接为单晶炉内的石墨加热器供热，加热温度范围为o～2000℃，控温精度要求达到±5℃；各种信号可自动检测、显示，参数的修改和设定可通过按键进行，以此来满足单晶硅在生长阶段对温度的严格要求。